以現(xiàn)代電力半導體功率器件為核心的逆變式感應加熱電源，無論應用何種類型的半導體功率器件，無論是電流源負載并聯(lián)諧振式逆變器還是電壓源負載串聯(lián)諧振式逆變器，無論是應用的工作電流頻率高低，組成感應加熱電源的電路構成單元基本是相同的，功能模塊化特性更加明顯，不僅電路簡潔，而且組裝十分方便，通過簡單的接線端子或航空插件，把各功能模塊連接起來，即構成一臺感應加熱電源。

　　近年來由于場控型MOSFET、IGBT器件制造工藝和水平的不斷進步，它們與其他電力半導體器件相比，性能價格比不斷提升，MOSFET、IGBT在感應加熱電源中的應用也越來越多。采用MOSFET、IGBT功率模塊構成的感應加熱電源，更容易使感應加熱裝置實現(xiàn)模塊化、集成組裝結構，其體積和質(zhì)量比晶閘管、電子管構成的感應加熱電源大大減小，同時，可實現(xiàn)感應加熱電源工作頻率高頻化。

　　力華小編除了對組成感應加熱電源的各功能單元作簡要敘述外，對表征感應加熱電源的主要技術性能要求作些必要表述，這些技術性能要求包括性能參數(shù)以及可靠性和安全性等方面的相關指標，重點是介紹各組成單元的功能描述。