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半橋逆變器實際上也是由兩個單端正激式變換電路組合而成，其中，一個橋臂由兩個特性相同、容量相等的電容器承擔，每個電容器承受112的直流母線電壓，另一橋臂由兩個受脈寬調制（ PWM）信號控制驅動的半導體功率開關管承擔，故稱半橋變換器，即Half-Bridge Converters。控制功率器件開關的驅動信號互補，相差180。
兩個PWM驅動信號之間留有死壓時間，防止信號擾動時導致兩個功率開關器件同時導通，造成器件損壞及逆變失敗。
C2的均壓和電荷泄放電阻，并確保Ri =Rz，Cl一C2，制造過程中應對上述四個元件進行檢測，挑選配對使用。功率開關器件通常在高頻加熱電源中使用場效應晶體管MOSFET及絕絳
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